gallium arsenide field-effect transistor

　　　　砷化镓场效应晶体管（GaAsFET）是专门用在高频、超高频以及微波无线电频率下的放大器电路中的场效应晶体管。这个频率范围横跨电磁辐射频谱，从大约30MHz到红外波段。GaAsFET以其灵敏性著称，并且它还有一大优点，就是它产生的内部噪音很少。这主要是因为砷化镓有不同寻常的载流子迁移率。电子可以很容易快速的穿过半导体材料。GaAsFET是一种耗尽型设备，这就意味着当在控制电极门没有电压时它就会导电，当在门处出现电压时信道传导率就会降低。　　在微弱信号无线通信以及广播接收中，GaAsFET比大多数其他类型的的场效应晶体管性能要好。某些类型的GaAsFET用于射频功率放大器中。GaAsFET还应用于宇宙通信、无线天文学以及无线电爱好者做的实验中。